ZnO Crystal Substrates

Descrição O óxido de zinco (ZnO) pode ser cultivado como um semicondutor monocristalino com propriedades muito interessantes. O bandgap está na faixa de 3,4 eV que o torna atraente para muitas das aplicações azul e violeta na optoeletrônica, bem como nos dispositivos UV. Está disponível em grandes quantidades, em wafers ...

Product Details

Descrição

Os monocristas de óxido de zinco (ZnO) foram cultivados pelo método hidrotérmico usando um recipiente interno de platina. As bolachas ZnO de 2 polegadas obtidas a partir destes cristais em massa possuem uma cristalinidade e pureza extremamente altas. A resistividade elétrica é altamente uniforme em toda a área da bolacha. Após o recozimento, a estrutura do passo e do terraço foi observada na superfície da bolacha. A densidade do poço gravado diminuiu para menos de 80 cm-2. Estes resultados sugerem que estas bolachas ZnO de 2 polegadas são adequadas para aplicações de dispositivos de banda larga. O bandgap está no 3.4 eVrange, o que o torna atraente para muitas das aplicações azul e violeta na optoeletrônica, bem como nos dispositivos UV.

Características

Excelente qualidade cristalina

Excelente combinação de rede para nitreto

Gravado facilmente para integração de dispositivos

Aplicações

Substrato do circuito semicondutor

LED ZnO

Filme ZnO

Especificação principal

Materiais

ZnO

Orientação

[0 0 0 -1] ou [1 0 -1 0] <± 0,5="">

Paralelo

10 "

Perpendicular

5'

Qualidade da superfície

10/5

Distorção Wavefront

Λ / 4 @ 632nm

Planície da superfície

Λ / 8 @ 632nm

Abertura clara

> 95%

Chanfro

<0.1 ×="" 45="">

Tolerância de espessura / diâmetro

± 0,05 mm

Dimensões máximas

Dia 50 × 100mm

Revestimentos

AR / AR @ 940 + 1030; HR @ 1030 + HT @ 940 + AR1030;

Características do material

Características físicas e químicas

Tipo de Material

único cristal

Estrutura de cristal

Hexagonal, a = b = 3,252 Å,
C = 5,313 Å

Peso molecular

81,47

Índice de refração

N o = 1,3836, n e = 1,3957 @ 0,405 μm

Perda reflexiva

5,1% a 4,0 μm; 11,2% @ 0,12 μm

Densidade

5,7 g / cm 3

Ponto de fusão

1975 ° C

Condutividade térmica

6 W / (m · K)

Expansão térmica

∥a: 6,5 · 10 -6 / ° C; ∥C: 3,7 · 10 -6 / ° C @ 20 ° C

Dureza (Mohs)

4

Constante dielétrica

∥C: 4,87; ⊥C: 5,45 @ 95 KHz - 42 MHz

Solubilidade em Água

não

Produto padrão

Orientação

Configuração final, nm

Espessura, nm

Transmissão óptica

[0 0 0 -1]

5 × 5

0,5

Não = 1.3836,
Ne = 1.3957

@ 0,405 μm

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8 × 8

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

10 × 10

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

15 × 15

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 25.4

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 50.8

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]


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